紫外可见漫反射光谱仪

利用物质分子对紫外-可见-近红外光谱区的辐射吸收来进行分析的一种仪器，可用于表征不同半导体正极材料的吸收、反射和透射，进而分析材它禁带宽度及能带结构等半导体特性。

技术参数：

1.光谱区具有超大波长范围：190~3300nm

2.高分辨率：<0.1nm

3.波长重复性高：紫外区<±0.05nm，近红外区<±0.2 nm

4.波长扫描速度连续可变：0.3 nm/min～5000 nm/min

5.装配积分球检测器并搭载不同类型的样品架可测量液体、固体及膜样品。